场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关
2020-03-30 16:05:32
冯必正
583
名称：场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关
该设备是为低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波稳定放大器设计的。源和漏是可互换的。
附件1：
场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关.pdf
附件2：场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关2.pdf
图一：场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关 - 引脚定义及驱动
-
Jamo SUB250 低音炮 维修[2018-02-18 16:57:43]
-
PWM式电池充放电及保护隔离管理芯片 - Texas Instruments - BQ24780S-WQFN-28 4x4mm[2022-01-27 17:00:49]
-
MOSFET - Alpha & Omega-AON6794-30V-30A-N-Channel[2020-09-26 22:15:12]
-
MOSFET - N-Channel - CYStech - MTB06N03H8 - 30V,25°C=75A,100°C=45A,5.5-11mΩ,DFN-6X5mm[2022-01-13 20:59:10]
-
MOSFET - Alpha & Omega-AON6978-30V-Q1(High Side,28A),Q2(Low Side,36A)-N-Channel[2020-05-14 16:39:37]