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![MOSFET - Alpha & Omega-AON6992-30V-Q1(19A),Q2(31A)-N-Channel-DFN5X6D]()
MOSFET - Alpha & Omega-AON6992-30V-Q1(19A),Q2(31A)-N-Channel-DFN5X6D
名称：MOSFET - Alpha & Omega-AON6992-30V-Q1(19A),Q2(31A)-N-Channel-DFN5X6D附件：MOSFET - Alpha & Omega-AON6992-30V-Q1(19A),Q2(31A)-N-Channel-DFN5X6D.pdf图一：MOSFET - Alpha & Omega-AON6992-30V-Q1(1
2020-07-06 16:37:09 冯必正 206
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![MOSFET - Alpha & Omega-AON7516-30V-30A-N-Channel]()
MOSFET - Alpha & Omega-AON7516-30V-30A-N-Channel
名称：MOSFET - Alpha & Omega-AON7516-30V-30A-N-Channel应用：911 - i7-6700HQ 最新的沟道功率AlphaMOS（αMOS LV）技术，在4.5VGS时，无线电数据系统（开启）非常低，低栅极电荷，大电流能力，符合RoHS和无卤标准，计算、服务器和POL中的DC/DC转换器，电信和工业用隔离DC/DC转换器。附件：MOSF
2020-05-22 12:29:53 冯必正 206
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![MOSFET - CYStek-MTDK5S6R-30V-Q1(250mA),Q2(250mA)-Dual N-CHANNEL-SOT363]()
MOSFET - CYStek-MTDK5S6R-30V-Q1(250mA),Q2(250mA)-Dual N-CHANNEL-SOT363
名称：MOSFET - CYStek-MTDK5S6R-30V-Q1(250mA),Q2(250mA)-Dual N-CHANNEL-SOT363丝印：K5封装：SOT363应用：蓝天W65S0系列等： 魔法师 - M7-170a（i7-4710，4G，GTX950M 低压驱动器（2.5V驱动器）使该设备成为便携式设备的理想选择。MOSFET元件是独立的，消除了相互
2020-05-22 12:07:11 冯必正 780
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![MOSFET - ON Semi-NTMFD4C86N-30V-Q1(High Side,20A),Q2(Low Side,32A)-N-Channel]()
MOSFET - ON Semi-NTMFD4C86N-30V-Q1(High Side,20A),Q2(Low Side,32A)-N-Channel
名称：MOSFET - ON Semi-NTMFD4C86N-30V-20A-N-Channel 共封装功率级解决方案，最大限度地减少电路板空间，最小化寄生电感，优化设备以减少功率损耗，这些设备不含铅、无卤素/无溴阻燃剂，并且是RoHS。附件：MOSFET - ON Semi-NTMFD4C86N-30V-20A-N-Channel.PDFMOSFET - ON Semi-NTMFD4
2020-05-14 16:56:53 冯必正 449
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![MOSFET - Alpha & Omega-AON6978-30V-Q1(High Side,28A),Q2(Low Side,36A)-N-Channel]()
MOSFET - Alpha & Omega-AON6978-30V-Q1(High Side,28A),Q2(Low Side,36A)-N-Channel
名称：MOSFET - Alpha & Omega-AON6978-30V-Q1(28A),Q2(36A)-N-Channel 最新的沟道功率AlphaMOS（αMOS LV）技术，低压侧集成肖特基二极管（SRFET），在4.5V VGS下非常低的RDS（开），低栅极电荷，大电流能力，符合RoHS和无卤标准，计算、服务器和POL中的DC/DC转换器，电信和工业用隔离DC/DC转
2020-05-14 16:39:37 冯必正 164
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![场效应管(MOSFET) - IRFR320-400V-4.1A-N-Channel]()
场效应管(MOSFET) - IRFR320-400V-4.1A-N-Channel
名称：场效应管(MOSFET) - IRFR320-400V-4.1A-N-Channel 这是N通道增强模式硅门功率场效应晶体管。他们是先进的力量mosfet的设计、测试和保证能够承受a击穿雪崩模式下的指定能级的操作。所有这些功率场效应晶体管都是为应用如开关稳压器，开关转换器，电机驱动程序，继电器驱动程序，驱动程序为高功率双极开关晶体管需要高速和低栅驱动功率。附件1：场效应管(MOS
2020-03-30 16:27:18 冯必正 90
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![场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关]()
场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关
名称：场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关 该设备是为低电平模拟开关、采样和保持电路以及斩波稳定放大器设计的。源和漏是可互换的。附件1：场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关.pdf附件2：场效应管(MOSFET) - J111-40V-50mA-N沟道开关2.pdf图一：场效应管(MOSFET) - J111-40V-50
2020-03-30 16:05:32 冯必正 427
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![场效应管(MOSFET) - IRF640N-200V-18A-N-Channel]()
场效应管(MOSFET) - IRF640N-200V-18A-N-Channel
名称：场效应管(MOSFET) - IRF640N-200V-18A-N-Channel IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的
2020-03-30 15:41:06 冯必正 129
